St: collaborazione con Soitec su tecnologia per produrre substrati in SiC

(Il Sole 24 Ore Radiocor Plus) - Milano, 01 dic - STMicroelectronics e Soitec, leader nella progettazione e produzione di materiali semiconduttori innovativi, annunciano la nuova fase della loro collaborazione sui substrati in SiC (carburo di silicio), che prevede che STqualifichi la tecnologia dei substrati in SiC di Soitec nel corso dei prossimi 18 mesi. L’obiettivo di questa collaborazione è l'adozione da parte di ST della tecnologia SmartSiC™ di Soitec per la futura produzione di substrati da 200 mm che andranno ad alimentare le sue attività diproduzione di dispositivi e moduli, con una produzione in volumi prevista a medio termine.“Il passaggio alle fette in SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai nostri clienti dei settori automotive e industriale, mentre accelerano la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti. È importante per trainare economie di scala e accompagnarel’espansione in volumi dei prodotti”, ha dichiarato in una nota Marco Monti, President Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics. “Abbiamo scelto un modello integrato verticalmente per massimizzare il nostro know-how nell’intera catena di produzione, dai substrati di alta qualità fino alla produzione front-end e back-end su larga scala. L’obiettivo della collaborazione tecnologica con Soitec è continuare a migliorare le rese e la qualità della nostra produzione”. com-rmi

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